Транзистор S8050 (NPN, 0.5А, 40В)

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 V Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 150 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 120