Скидка 20% до конца АВГУСТА на оборудование Satvision для видеонаблюдения!
Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В) A1sH8
0 / просмотров 250)
(голосов
Артикул: MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В)
Нет в наличии
Похожие товары
-
Транзистор S9013 NPN
10 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS.
Характеристики:
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОм
Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 Вт
Крутизна характеристики: 6.5 S
Корпус: sot23
Пороговое напряжение на затворе: -0.95 В
MOSFET транзистор SI2301DS.
Характеристики:
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОм
Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 Вт
Крутизна характеристики: 6.5 S
Корпус: sot23
Пороговое напряжение на затворе: -0.95 В
Видео-обзоры "Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В) A1sH8", подобранные автоматически:
Отзывы к "Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В) A1sH8":
Пока нет комментариев