Скидка 20% до конца АВГУСТА на оборудование Satvision для видеонаблюдения!
Транзистор 13001 (NPN, 0.2А, 400В)
0 / просмотров 103)
(голосов
Характеристики:
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.9 Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 500 В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 400 В
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 В
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 8 МГц
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): пФ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 10
Характеристики:
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.9 Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 500 В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 400 В
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 В
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 8 МГц
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): пФ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 10
Видео-обзоры "Транзистор 13001 (NPN, 0.2А, 400В)", подобранные автоматически:
Отзывы к "Транзистор 13001 (NPN, 0.2А, 400В)":
Пока нет комментариев